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Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quel transistor réalise source, canal et drain avec le même type et la même concentration de dopage, sans jonction PN ?

  1. ATransistor bipolaire
  2. BIGBT
  3. CTransistor sans jonction
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Réponse : C. Transistor sans jonction

Le transistor sans jonction est en quelque sorte une résistance étranglée par la grille : un nanofil de silicium fin ou analogue est uniformément et fortement dopé de la source au drain, et la grille déplète le canal par l'extérieur pour bloquer le courant. N'exigeant pas de jonction PN abrupte sur quelques nm, il se prête à la miniaturisation ; il a été présenté en 2010. En revanche, le fort dopage du canal réduit la mobilité, et la dispersion des dimensions de section fait fortement varier le seuil.

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Autres questions sur Transistors avancés (FinFET et GAA)

  1. Dans un FinFET sur substrat massif, quel est l'objectif de la couche fortement dopée placée au pied de l'ailette (zone difficile à contrôler par la grille) ?
  2. Quelle est la définition de la « longueur caractéristique (longueur naturelle) λ » utilisée pour estimer l'intensité des effets de canal court ?
  3. Quel est l'effet du confinement quantique apparaissant lorsque l'épaisseur des ailettes ou des nanofeuillets est réduite à quelques nm ?
  4. Dans un FinFET fabriqué dans l'orientation usuelle sur une plaquette (100), les flancs des ailettes formant le canal sont principalement des plans (110). Quel en est l'effet sur la mobilité ?
  5. Quelle est la caractéristique structurelle du FinFET ?

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