첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)
벌크 기판 위에 만드는 FinFET에서 핀의 뿌리(게이트로 제어하기 어려운 부분)에 고농도 불순물층을 두는 목적은?
- A핀 아래 부분을 지나는 펀치스루 누설 전류를 억제하기 위해
- B게이트의 저항을 낮추기 위해
- C핀을 높게 하기 위해
정답과 해설 보기
정답: A. 핀 아래 부분을 지나는 펀치스루 누설 전류를 억제하기 위해
벌크 FinFET에서는 핀의 하부가 게이트로 둘러싸여 있지 않기 때문에 소스와 드레인 사이로 전류가 새기 쉽습니다. 핀 뿌리 부근에 채널과 반대 도전형의 고농도층(펀치스루 스토퍼)을 두어 이 경로의 누설을 억제합니다. 채널 부분에는 불순물을 넣고 싶지 않으므로 얕은 위치에만 가파르게 넣는 제어가 어려운 점이 있습니다. SOI 기판을 사용하면 절연막으로 분리할 수 있지만 웨이퍼가 비쌉니다.
- A. 맞습니다. 핀 하부의 누설을 억제합니다.
- B. 게이트 전극의 저항과는 관계가 없습니다.
- C. 핀의 높이를 바꾸기 위한 층이 아닙니다.