Transistors avancés (FinFET et GAA)
Dans un FinFET fabriqué dans l'orientation usuelle sur une plaquette (100), les flancs des ailettes formant le canal sont principalement des plans (110). Quel en est l'effet sur la mobilité ?
- ALa mobilité des électrons comme des trous reste inchangée
- BPar rapport au plan (100), la mobilité des trous tend à augmenter et celle des électrons à diminuer
- CLa mobilité des électrons comme des trous augmente fortement
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Réponse : B. Par rapport au plan (100), la mobilité des trous tend à augmenter et celle des électrons à diminuer
La mobilité du silicium dépend du plan cristallin et du sens du courant : sur un plan (110), la mobilité des trous est plus élevée (environ le double) et celle des électrons tend à être plus faible que sur un plan (100). Dans un FinFET, l'essentiel du courant circulant sur les flancs, l'orientation favorise les pMOS et pénalise les nMOS. Le handicap des nMOS est compensé notamment par les techniques de contrainte. Grâce à cette propriété, l'écart de performances entre nMOS et pMOS est plus faible en FinFET qu'en planaire.
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