Moderne Transistoren (FinFET, GAA)

Was ist der Zweck einer hoch dotierten Schicht am Fußpunkt der Finne (dem vom Gate schwer steuerbaren Teil) bei auf Bulk-Substrat gefertigten FinFETs?

  1. ADen Punch-through-Leckstrom durch den unteren Teil der Finne zu unterdrücken
  2. BDen Widerstand des Gates zu senken
  3. CDie Finne höher zu machen
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Antwort: A. Den Punch-through-Leckstrom durch den unteren Teil der Finne zu unterdrücken

Beim Bulk-FinFET ist der untere Teil der Finne nicht vom Gate umschlossen, sodass zwischen Source und Drain leicht Strom leckt. Nahe dem Finnenfuß wird eine hoch dotierte Schicht mit dem zum Kanal entgegengesetzten Leitungstyp (Punch-through-Stopper) angelegt, um den Leckstrom auf diesem Pfad zu unterdrücken. Da im Kanalbereich keine Dotierstoffe sein sollen, ist es schwierig, sie steil nur in flacher Tiefe einzubringen. Mit SOI-Substraten ließe sich durch einen Isolator trennen, doch die Wafer sind teuer.

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