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Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quelle est la caractéristique du CFET (Complementary FET), étudié comme structure succédant au GAA ?

  1. AIl supprime l'électrode de grille pour simplifier la structure
  2. BIl empile verticalement les nMOS et les pMOS pour réduire la surface des cellules
  3. CIl revient au transistor planaire
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Réponse : B. Il empile verticalement les nMOS et les pMOS pour réduire la surface des cellules

Le CFET empile verticalement les nanofeuillets des nMOS et pMOS formant un circuit CMOS au lieu de les disposer côte à côte, ce qui pourrait permettre de réaliser un circuit de même fonction sur près de la moitié de la surface. Les étapes séparant matériaux et métaux de grille entre n et p sont complexes, et l'accès électrique aux transistors supérieurs et inférieurs constitue aussi un défi. La R&D vise une mise en pratique dans les années 2030.

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