Welches Merkmal des CFET (Complementary FET), der als Struktur nach GAA erforscht wird, ist richtig?

Antwort: B. nMOS und pMOS werden vertikal gestapelt, und die Zellfläche wird verkleinert

Beim CFET werden die nMOS und pMOS einer CMOS-Schaltung nicht nebeneinander, sondern als Nanosheets übereinander gestapelt, wodurch dieselbe Schaltungsfunktion möglicherweise auf etwa der halben Fläche realisiert werden kann. Das getrennte Herstellen verschiedener Materialien und Gate-Metalle für n und p ist aufwendig, und auch die Herausführung der Verdrahtung zu den oberen und unteren Transistoren ist eine Herausforderung. Die Forschung und Entwicklung zielt auf den praktischen Einsatz in den 2030er-Jahren.