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Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quelle est la définition de l'EOT (épaisseur d'oxyde équivalente) ?

  1. AL'épaisseur d'un diélectrique de grille, high-k ou autre, convertie en épaisseur de SiO2 donnant la même capacité de grille
  2. BL'épaisseur physique réelle du diélectrique de grille
  3. CL'épaisseur des niveaux d'interconnexion
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Réponse : A. L'épaisseur d'un diélectrique de grille, high-k ou autre, convertie en épaisseur de SiO2 donnant la même capacité de grille

L'EOT est l'épaisseur que devrait avoir un film de SiO2 (permittivité relative 3,9) pour obtenir la même capacité que le diélectrique de grille : EOT = épaisseur physique × 3,9/ε. Avec un high-k de permittivité relative 20, une épaisseur physique d'environ 5 nm correspond à une EOT de 1 nm. L'EOT des produits avancés est d'environ 0,8 à 1 nm, couche interfaciale comprise. L'épaisseur électrique réelle inclut en outre une contribution due notamment aux effets quantiques de la couche d'inversion, si bien que la valeur mesurée (CET) est légèrement supérieure à l'EOT.

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