Moderne Transistoren (FinFET, GAA)
Welche Aussage zur SOI-Struktur (Silicon On Insulator) ist richtig?
- ATransistorstruktur ohne Gate-Isolator
- BStruktur, bei der Transistoren in einer dünnen Siliziumschicht auf einer vergrabenen Oxidschicht gefertigt werden
- CStruktur aus zwei übereinandergelegten Chips
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Antwort: B. Struktur, bei der Transistoren in einer dünnen Siliziumschicht auf einer vergrabenen Oxidschicht gefertigt werden
SOI ist eine Struktur, bei der Transistoren in einer dünnen Siliziumschicht auf einer im Siliziumsubstrat vergrabenen Oxidschicht (BOX-Schicht) gefertigt werden. Da die Bauelemente vom Substrat isoliert sind, sind Sperrschichtkapazität und Leckstrom klein, und Latch-up tritt nicht auf. Die Wafer werden z. B. nach dem Smart-Cut-Verfahren hergestellt, bei dem oxidierte Wafer gebondet und einer davon gedünnt wird. SOI wird breit für Hochfrequenzschalter (RF-SOI) und für FD-SOI mit niedriger Leistungsaufnahme eingesetzt.