게이트 전극 식각에서 하지의 얇은 게이트 절연막을 남기기 위해 일반적으로 하는 방법은?

정답: B. 도중까지는 식각 속도가 빠른 조건으로 깎고, 하지에 가까워지면 하지와의 선택비가 높은 조건으로 전환한다

게이트 식각에서는 먼저 형상을 결정하는 빠른 조건(메인 식각)으로 대부분을 깎고, 종점을 검출하면 아래의 수 nm 절연막을 거의 깎지 않는 고선택비 조건(오버 식각)으로 전환하여 단차에 남은 부분을 제거합니다. 조건을 여러 단계로 나눔으로써 수직 형상과 하지 보호를 양립할 수 있습니다. 게이트 절연막을 뚫으면 그 아래의 실리콘이 깎여 트랜지스터가 불량이 됩니다.

• A. 강한 조건 그대로면 얇은 하지까지 깎여 버립니다.
• B. 맞습니다. 조건을 단계적으로 전환하여 하지를 남깁니다.
• C. 강한 조건으로 계속 깎으면 하지가 뚫립니다.