Etsen
Welke maatregel wordt bij het etsen van een gate-elektrode gewoonlijk genomen om de dunne gate-isolator eronder te behouden?
- AVan begin tot eind onder dezelfde sterke condities etsen
- BTot halverwege onder condities met hoge etssnelheid etsen en bij het naderen van de ondergrond overschakelen op condities met hoge selectiviteit ten opzichte van de ondergrond
- COok nadat de ondergrond zichtbaar is geworden nog enige tijd onder sterke condities doorgaan met etsen
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. Tot halverwege onder condities met hoge etssnelheid etsen en bij het naderen van de ondergrond overschakelen op condities met hoge selectiviteit ten opzichte van de ondergrond
Bij het etsen van een gate wordt het grootste deel eerst weggeëtst onder snelle condities die de vorm bepalen (hoofdetsen), en na detectie van het eindpunt wordt overgeschakeld op condities met hoge selectiviteit die de isolatiefilm van enkele nm eronder vrijwel niet aantasten (overetsen) om de resten bij trappen te verwijderen. Door de condities in meerdere stappen te verdelen worden een verticale vorm en bescherming van de ondergrond gecombineerd. Als de gate-isolator wordt doorbroken, wordt het silicium eronder aangetast en wordt de transistor defect.