Ätzen

Welche Maßnahme wird beim Ätzen von Gate-Elektroden üblicherweise ergriffen, um das dünne darunterliegende Gate-Dielektrikum zu erhalten?

  1. AVon Anfang bis Ende mit denselben starken Bedingungen ätzen
  2. BBis zu einem gewissen Punkt mit Bedingungen hoher Ätzrate abtragen und bei Annäherung an die Unterlage auf Bedingungen mit hoher Selektivität zur Unterlage umschalten
  3. CAuch nach Freilegen der Unterlage noch eine Weile mit starken Bedingungen weiterätzen
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Antwort: B. Bis zu einem gewissen Punkt mit Bedingungen hoher Ätzrate abtragen und bei Annäherung an die Unterlage auf Bedingungen mit hoher Selektivität zur Unterlage umschalten

Beim Gate-Ätzen wird zunächst der größte Teil mit schnellen, die Form bestimmenden Bedingungen (Main Etch) abgetragen; nach Erkennen des Endpunkts wird auf Bedingungen hoher Selektivität (Überätzen) umgeschaltet, die die darunterliegende, nur einige nm dicke Isolierschicht kaum angreifen, und die verbliebenen Reste an Stufen werden entfernt. Durch Aufteilen der Bedingungen in mehrere Stufen werden vertikale Form und Schutz der Unterlage vereint. Wird das Gate-Dielektrikum durchbrochen, wird das darunterliegende Silizium abgetragen und der Transistor ist defekt.

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