蝕刻
在MEMS的犧牲層去除等情況中，不使用電漿即可對矽進行等向性蝕刻的氣體是下列何者？
- AO2（氧氣）
- BN2（氮氣）
- CXeF2（二氟化氙）
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正確答案：C. XeF2（二氟化氙）
XeF2是在室溫附近就會昇華的氣體，與矽自發性反應生成SiF4等，不需電漿即可對矽進行等向性蝕刻（2XeF2 + Si → 2Xe + SiF4）。它對氧化層、氮化層、光阻及多數金屬的選擇比高達1000以上，且因不使用液體而不易發生黏附（stiction），因此用於將MEMS結構從矽犧牲層中釋放出來。
- A. 氧氣用於去除光阻等有機物。
- B. 氮氣不會蝕刻矽。
- C. 正確。是不需電漿即可蝕刻矽的氣體。