식각
MEMS의 희생층 제거 등에서 플라즈마 없이 실리콘을 등방적으로 식각할 수 있는 기체는?
- AO2(산소)
- BN2(질소)
- CXeF2(이불화제논)
정답과 해설 보기
정답: C. XeF2(이불화제논)
XeF2는 실온 부근에서 승화하는 가스로, 실리콘과 자발적으로 반응하여 SiF4 등을 만들며 플라즈마 없이 등방적으로 실리콘을 식각합니다(2XeF2 + Si → 2Xe + SiF4). 산화막, 질화막, 레지스트, 많은 금속에 대한 선택비가 1000 이상으로 매우 높고, 액체를 사용하지 않아 스티킹이 잘 일어나지 않으므로 MEMS 구조를 실리콘 희생층에서 해방하는 데 사용됩니다.
- A. 산소는 레지스트 등 유기물 제거에 사용됩니다.
- B. 질소는 실리콘을 식각하지 않습니다.
- C. 맞습니다. 플라즈마 없이 실리콘을 식각할 수 있는 기체입니다.