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Qu'est-ce que Silicium contraint ?

Silicium dont on a modifié la structure de bandes en appliquant une contrainte au cristal afin d'augmenter la mobilité des porteurs. Une contrainte en tension est efficace pour le nMOS et en compression pour le pMOS ; on l'applique par du SiGe dans les sources et drains ou par des films de nitrure.

Nom japonais: ひずみシリコン

« Silicium contraint » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Croissance épitaxiale.

Domaine: Croissance épitaxiale

S'entraîner : questions sur Silicium contraint

Lorsqu'une fine couche de silicium croît par épitaxie sur une couche de SiGe relaxée de plus grand paramètre de maille, quelle contrainte apparaît dans la couche de silicium ?

  1. AUne contrainte en compression
  2. BAucune contrainte
  3. CUne contrainte en tension
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Réponse : C. Une contrainte en tension

Le paramètre de maille du silicium (0,543 nm) étant inférieur à celui du SiGe, une fine couche de silicium déposée sur du SiGe relaxé voit ses distances interatomiques étirées dans le plan pour s'adapter au SiGe, d'où une contrainte en tension (silicium contraint). La contrainte lève la dégénérescence des vallées de la bande de conduction ; les électrons se concentrent dans les vallées de faible masse effective et la diffusion diminue, ce qui multiplie la mobilité électronique par 1,5 à 2 ; cette technique a servi à améliorer les performances des nMOS.

« Silicium contraint » dans les explications

Questions mentionnant « Silicium contraint » (1)

  1. Lorsqu'une fine couche de silicium croît par épitaxie sur une couche de SiGe relaxée de plus grand paramètre de maille, quelle contrainte apparaît dans la couche de silicium ?

Termes associés

SiGe (silicium-germanium) Masse effective Mobilité 4H-SiC Autodopage Croissance épitaxiale Croissance épitaxiale latérale (ELO) Croissance par avancée de marches (step-flow) Désaccord de maille Dislocation de désaccord (misfit dislocation)

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