Quelle méthode mesure l'épaisseur d'une couche épitaxiale faiblement dopée sur un substrat fortement dopé en exploitant l'interférence de la lumière infrarouge ?

Réponse : C. La spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier (FTIR)

Le substrat fortement dopé, riche en porteurs libres, présente un indice de réfraction infrarouge légèrement différent de celui de la couche épitaxiale faiblement dopée, d'où une réflexion à l'interface. La mesure par FTIR de l'interfrange entre les faisceaux réfléchis par la surface et par l'interface donne l'épaisseur de la couche épitaxiale en quelques secondes, sans destruction ni contact. Si l'écart de dopage entre substrat et couche est faible, la réflexion à l'interface est trop faible pour mesurer ; on recourt alors à l'observation en coupe ou à la mesure C-V.