에피택셜 성장

격자상수가 큰 이완된 SiGe층 위에 얇은 실리콘층을 에피택셜 성장시켰을 때, 실리콘층에 생기는 변형은?

  1. A압축 변형
  2. B변형은 생기지 않는다
  3. C인장 변형
정답과 해설 보기

정답: C. 인장 변형

실리콘의 격자상수(0.543 nm)는 SiGe보다 작으므로, 이완된 SiGe 위에 얇은 실리콘을 성장시키면 원자 간격이 SiGe에 맞추어 면 내에서 늘어나 인장 변형이 생깁니다(변형 실리콘). 변형으로 전도대의 밸리가 분리되고 유효 질량이 가벼운 밸리로 전자가 모이며 산란도 줄어들어, 전자 이동도가 1.5~2배가 되므로 nMOS의 성능 향상에 사용되어 왔습니다.

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