Welche Verspannung entsteht in einer dünnen Siliziumschicht, die epitaktisch auf einer relaxierten SiGe-Schicht mit größerer Gitterkonstante aufgewachsen wird?

Antwort: C. Zugverspannung

Die Gitterkonstante von Silizium (0,543 nm) ist kleiner als die von SiGe; wächst dünnes Silizium auf relaxiertem SiGe, werden die Atomabstände in der Ebene an SiGe angepasst gedehnt, und es entsteht Zugverspannung (verspanntes Silizium). Durch die Verspannung spalten sich die Täler des Leitungsbands auf, Elektronen sammeln sich in den Tälern mit leichter effektiver Masse, und die Streuung nimmt ab; die Elektronenbeweglichkeit steigt auf das 1,5- bis 2-Fache, was zur Leistungssteigerung von nMOS genutzt wurde.