DRAM
Quelle est la principale raison pour laquelle la DRAM 3D est difficile à réaliser simplement en empilant de nombreuses couches comme dans la 3D NAND ?
- ALa DRAM ne peut pas réécrire de données
- BLes transistors de cellule de la DRAM ne peuvent être réalisés qu'en silicium
- CChaque cellule a besoin d'un condensateur pour stocker une charge, et les condensateurs actuels sont des structures verticales très hautes
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Réponse : C. Chaque cellule a besoin d'un condensateur pour stocker une charge, et les condensateurs actuels sont des structures verticales très hautes
La 3D NAND empile des centaines de couches servant chacune de ligne de mot et grave d'un seul coup des trous verticaux à travers elles pour former des chaînes de cellules. Chaque cellule DRAM a besoin d'un condensateur pour stocker une charge, et la DRAM planaire obtient sa capacité grâce à un condensateur fin et profond, qu'on ne peut donc pas simplement empiler. Pour la DRAM 3D, on étudie des structures où le transistor et le condensateur sont couchés dans chaque couche, ainsi que des cellules sans condensateur qui retiennent la charge dans la capacité parasite de transistors en semi-conducteur oxyde comme l'IGZO. Les cellules couchées occupent plus de surface par couche ; la clé est donc de pouvoir empiler de nombreuses couches à faible coût.