3D DRAM의 실현이 3D NAND처럼 많은 층을 쌓는 것만으로는 어려운 주된 이유로 올바른 것은?

정답: C. 각 셀에 전하를 저장하는 커패시터가 필요하고, 지금의 커패시터는 세로로 매우 긴 형태이기 때문에

3D NAND는 워드 라인이 되는 막을 수백 층 쌓고 세로 구멍을 한 번에 뚫어 셀의 열을 만듭니다. DRAM의 각 셀에는 전하를 저장하는 커패시터가 필요하며, 평면 DRAM에서는 커패시터를 가늘고 깊은 형태로 만들어 용량을 확보하므로 그대로는 쌓을 수 없습니다. 그래서 3D DRAM에서는 트랜지스터와 커패시터를 옆으로 눕혀 층마다 배치하는 구조나, IGZO 등 산화물 반도체 트랜지스터의 기생 용량에 전하를 유지하는 커패시터 없는 셀이 연구되고 있습니다. 눕힌 셀은 한 층당 면적이 커지므로, 많은 층을 낮은 비용으로 쌓을 수 있는지가 관건입니다.