Ligne reliée aux grilles des transistors des cellules mémoire, qui sélectionne la rangée à lire ou à écrire.
Nom japonais: ワード線
« Ligne de mot (word line) » apparaît dans 7 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont DRAM, SRAM et mémoire flash.
Domaine: DRAM
Réponse : B. Allonger la longueur de canal effective pour limiter les fuites tout en réduisant la cellule
Le transistor de cellule DRAM doit présenter une fuite extrêmement faible (de l'ordre du fA) pour conserver la charge du condensateur au moins 64 ms. Enterrer la grille dans une tranchée allonge le canal le long de la tranchée malgré une faible dimension en plan, ce qui limite les fuites dues aux effets de canal court. La ligne de mot enterrée (BCAT) s'est imposée vers 2010 ; elle a aussi l'avantage de réduire la capacité entre la ligne de mot et les interconnexions supérieures.
La ligne de mot enterrée (BCAT) s'est imposée vers 2010 ; elle a aussi l'avantage de réduire la capacité entre la ligne de mot et les interconnexions supérieures.
Dans les transistors de cellule DRAM récents, quel est le p…Dans la matrice, la ligne de mot sélectionne une rangée et rend passants simultanément tous ses transistors de cellule ; la charge des condensateurs est lue ou écrite via les lignes de bit, au bout desquelles se trouvent les amplificateurs de lecture.
Dans la matrice de cellules DRAM, quelle ligne, reliée à la…Le rowhammer est le phénomène par lequel l'activation d'une même rangée des dizaines de milliers de fois en peu de temps fait perdre leur charge aux cellules des rangées voisines, par les fluctuations de tension de la ligne de mot et le déplacement de charges, et inverse les données.
Dans une DRAM, comment appelle-t-on le phénomène par lequel…Toutefois, une ligne de mot ne croisant que les cellules de l'une des deux lignes de bit, la surface de cellule est de 8F².
Parmi les organisations de lignes de bit d'une matrice DRAM…En pilotant la ligne de mot à VPP, supérieure à l'alimentation d'au moins Vth (par exemple environ 2,5 à 3 V), on écrit une tension « 1 » complète dans le condensateur et l'on garantit la marge de lecture.
Quelle est la principale raison d'utiliser une tension élev…Amplificateur de lecture (sense amplifier) Via Rowhammer Précharge Ligne de bit Mémoire flash NAND TLC (cellule à trois niveaux) Ramasse-miettes (garbage collection) Banc (bank) Cellule 1T1C