DRAM

Quelle caractéristique de l'opération de lecture d'une DRAM est correcte ?

  1. ALa lecture ne modifie en rien la charge de la cellule
  2. BLa lecture modifiant la charge de la cellule, celle-ci est réécrite après amplification par l'amplificateur de lecture
  3. CLa lecture utilise un courant tunnel sous haute tension
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. La lecture modifiant la charge de la cellule, celle-ci est réécrite après amplification par l'amplificateur de lecture

Lorsque le condensateur de la cellule est relié à la ligne de bit, la charge se partage avec la grande capacité parasite de la ligne de bit et l'état initial est détruit (lecture destructive). L'amplificateur de lecture amplifie donc l'écart de quelques dizaines à une centaine de mV pour déterminer 0/1 et, simultanément, réécrit la cellule avec la tension amplifiée. Cette réécriture équivalant en pratique à un rafraîchissement, celui-ci s'effectue par l'activation puis la fermeture d'une rangée.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur DRAM

  1. Quelle combinaison de structures tridimensionnelles a été utilisée pour assurer la capacité du condensateur des cellules DRAM ?
  2. Quelle propriété de la DRAM est correcte ?
  3. Quelle est la signification correcte de « DDR (double débit de données) » dans DDR SDRAM ?
  4. Dans la matrice de cellules DRAM, quelle ligne, reliée à la grille des transistors de cellule, sélectionne la rangée à lire ou écrire ?
  5. Comment évolue généralement la durée pendant laquelle une cellule DRAM conserve ses données lorsque la température augmente ?

Comparatifs sur ce thème