貫通転位란?
かんつうてんい
成長層の中を表面まで突き抜けて伸びる転位。サファイアやシリコンの上のGaNでは密度が高く(10⁸〜10⁹ cm⁻²程度)、デバイスの特性や信頼性を下げる。
일본어 명칭: 貫通転位
분야: 에피택셜 성장
관련 용어
4H-SiC 格子不整合 臨界膜厚 選択エピタキシャル成長 積層欠陥 超格子 横方向エピタキシャル成長(ELO) HVPE(ハイドライド気相成長) MBE(分子線エピタキシー) MOCVD(有機金属気相成長)
かんつうてんい
成長層の中を表面まで突き抜けて伸びる転位。サファイアやシリコンの上のGaNでは密度が高く(10⁸〜10⁹ cm⁻²程度)、デバイスの特性や信頼性を下げる。
일본어 명칭: 貫通転位
분야: 에피택셜 성장
4H-SiC 格子不整合 臨界膜厚 選択エピタキシャル成長 積層欠陥 超格子 横方向エピタキシャル成長(ELO) HVPE(ハイドライド気相成長) MBE(分子線エピタキシー) MOCVD(有機金属気相成長)