Was ist Verspanntes Silizium (Strained Silicon)?

Silizium, dessen Bandstruktur durch mechanische Verspannung verändert wird, um die Ladungsträgerbeweglichkeit zu erhöhen. Zugspannung verbessert nMOS, Druckspannung pMOS; sie wird z. B. durch SiGe-Source/Drain-Gebiete und Nitridschichten erzeugt.

Japanische Bezeichnung: ひずみシリコン

Fachgebiet: Epitaktisches Wachstum

Verwandte Begriffe

4H-SiC Autodotierung Durchstoßversetzung (Threading Dislocation) Epitaxie (epitaktisches Wachstum) Fehlpassungsversetzung (Misfit Dislocation) Gitterfehlanpassung Heteroepitaxie HVPE (Hydrid-Gasphasenepitaxie) Kritische Schichtdicke Laterales epitaktisches Überwachsen (ELO)

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