Was ist SOI-Wafer?

Wafer mit dünner Siliziumschicht auf einer vergrabenen Oxidschicht (BOX) über einem Siliziumsubstrat. Er wird z. B. durch Bonden eines wasserstoffimplantierten Wafers und Abspalten hergestellt. Die geringe parasitäre Kapazität eignet sich für FD-SOI-Bauelemente und MEMS.

Japanische Bezeichnung: SOIウエハ

Fachgebiet: Siliziumwafer

Vergleiche mit diesem Begriff

Verwandte Begriffe

Czochralski-Verfahren (CZ-Verfahren) DZ (Denuded Zone, defektfreie Zone) FZ-Verfahren (Zonenschmelzen) Gettern (Getterung) Ingot (Kristallblock) Kristallorientierung MCZ-Verfahren (CZ mit Magnetfeld) Monitorwafer Necking (Halsbildung) Sauerstoffausscheidungen (BMD)

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