Was ist SiGe (Silizium-Germanium)?

Legierung aus Silizium und Germanium mit größerer Gitterkonstante als Silizium. Epitaktisch gewachsen dient sie zum Verspannen von Kanälen, als Basis von HBTs und als Opferschicht in GAA-Transistoren.

Japanische Bezeichnung: SiGe(シリコンゲルマニウム)

Fachgebiet: Epitaktisches Wachstum

Verwandte Begriffe

4H-SiC Autodotierung Durchstoßversetzung (Threading Dislocation) Epitaxie (epitaktisches Wachstum) Fehlpassungsversetzung (Misfit Dislocation) Gitterfehlanpassung Heteroepitaxie HVPE (Hydrid-Gasphasenepitaxie) Kritische Schichtdicke Laterales epitaktisches Überwachsen (ELO)

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