Epitaxie
Welche Aussage zum epitaktischen Wachstum ist richtig?
- AAuf einem einkristallinen Substrat wird ein einkristalliner Dünnfilm mit gleicher Kristallorientierung wie das Substrat aufgewachsen
- BAuf einem Substrat wird eine amorphe Schicht abgeschieden
- CDas Substrat wird bei hoher Temperatur geschmolzen und rekristallisiert
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Antwort: A. Auf einem einkristallinen Substrat wird ein einkristalliner Dünnfilm mit gleicher Kristallorientierung wie das Substrat aufgewachsen
Beim epitaktischen Wachstum lagern sich Atome so an, dass die Kristallanordnung des Substrats fortgesetzt wird, und es entsteht eine einkristalline Schicht mit derselben Orientierung wie das Substrat. Dotierungskonzentration und Material lassen sich unabhängig vom Substrat wählen, und es können defektärmere Schichten als bei CZ-Wafern erzeugt werden; verwendet wird sie für niedrig dotierte Driftschichten von Leistungsbauelementen, Substrate für CMOS-Bildsensoren, SiGe in Source und Drain von Transistoren sowie Mehrschichtstrukturen von LEDs und Lasern.