Was ist GaAs (Galliumarsenid)?

III-V-Verbindungshalbleiter aus Gallium und Arsen mit direkter Bandlücke von etwa 1,42 eV. Seine hohe Elektronenbeweglichkeit macht ihn nützlich für Hochfrequenztransistoren sowie Infrarot-LEDs und -Laser.

Japanische Bezeichnung: GaAs(ガリウムヒ素)

Fachgebiet: Verbindungshalbleiter

Verwandte Begriffe

2DEG (zweidimensionales Elektronengas) Direkter Halbleiter (direkte Bandlücke) Effizienz-Droop Ga2O3 (Galliumoxid) GaN (Galliumnitrid) Halbleiter mit großer Bandlücke (Wide-Bandgap) HEMT (Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) III-V-Verbindungshalbleiter InP (Indiumphosphid) Mischkristall-Halbleiter

Zurück zum Glossar