Epitaxie
Welche Gase werden beim epitaktischen Wachstum von Silizium als Ausgangsstoffe verwendet?
- ANur Argon
- BTrichlorsilan (SiHCl3) oder Dichlorsilan (SiH2Cl2)
- CSauerstoff
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Antwort: B. Trichlorsilan (SiHCl3) oder Dichlorsilan (SiH2Cl2)
Für das epitaktische Wachstum von Silizium werden siliziumhaltige Gase wie Trichlorsilan, Dichlorsilan und Silan zusammen mit Wasserstoff verwendet. Bei hoher Temperatur werden sie zersetzt und reduziert, und Silizium scheidet sich auf dem Substrat ab, z. B. nach der Reaktion SiHCl3 + H2 → Si + 3HCl. Chlorhaltige Ausgangsstoffe erfordern höhere Temperaturen, aber HCl unterdrückt die Abscheidung auf Oxid und eignet sich daher für selektives Wachstum. Zur Dotierung werden Phosphin oder Diboran zugesetzt.