Was ist SiC (Siliciumcarbid)?

Ein Halbleiter mit großer Bandlücke von etwa 3,3 eV. Seine hohe Durchbruchfeldstärke macht ihn geeignet für verlustarme Hochspannungs-Leistungsbauelemente.

Japanische Bezeichnung: SiC(炭化ケイ素)

Fachgebiet: Leistungshalbleiter

Vergleiche mit diesem Begriff

SiC vs. GaN Leistungsbauelemente: Die wichtigsten UnterschiedeSiC- vs. GaN-Leistungshalbleiter im Tabellenvergleich: Bandlücke, Wärmeleitfähigkeit, Bauelementtyp, Spannung…

Verwandte Begriffe

Bodydiode DC-DC-Wandler Durchlasswiderstand (RDS(on)) Gate-Treiber IGBT Kurzschlussfestigkeit Leistungs-MOSFET Schaltverluste Schweifstrom (Tail Current) Selbstsperrend (Normally-off)

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