Was ist der Hauptzweck des Sputterverfahrens, bei dem gesputterte Atome ionisiert und durch eine am Wafer anliegende Vorspannung senkrecht herangezogen werden?

Antwort: A. Die Bedeckung am Boden tiefer Löcher und Gräben (Bottom Coverage) zu verbessern

Beim gewöhnlichen Sputtern treffen die Atome aus verschiedenen Richtungen ein, sodass der Boden tiefer Löcher kaum beschichtet wird. Beim ionisierten Sputtern (iPVD) werden die aus dem Target herausgeschlagenen Atome im hochdichten Plasma ionisiert und durch die am Wafer anliegende Vorspannung senkrecht herangezogen, sodass auch der Boden von Löchern mit hohem Aspektverhältnis beschichtet wird. Zusätzlich kann die Schicht am Boden erneut gesputtert und auf die Seitenwand umverteilt werden; das Verfahren dient der Bildung von Barriere- und Keimschichten für Cu-Leitbahnen.