PN接面與二極體

單側陡峭接面的空乏區寬度與逆向偏壓電壓V之間的關係，下列何者正確？（V遠大於內建電位時）

  1. A與V成正比
  2. B與V的平方成正比
  3. C大致與V的平方根成正比
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正確答案：C. 大致與V的平方根成正比

單側陡峭接面的空乏區寬度為 W = √(2ε(Vbi + V)/qN)，當V足夠大時，大致與 √V 成正比。因此接面電容與 1/√V 成正比而變小，將 1/C² 對V作圖會得到一條直線。由其斜率可求得低濃度側的雜質濃度N，由截距可求得內建電位，這是C-V量測的基本原理。濃度越低，在相同電壓下空乏區延伸得越寬。

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