PN接面與二極體
以接面面積A、空乏區寬度W、半導體介電常數ε表示逆向偏壓PN接面的空乏區電容（接面電容）C，下列哪個式子正確？
- AC = εA / W
- BC = εW / A
- CC = ε / (A × W)
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正確答案：A. C = εA / W
空乏區的行為如同兩側累積電荷的絕緣層，因此與平行板電容器相同，可表示為 C = εA/W。在逆向偏壓下W變寬，電容就變小。例如在矽中，面積為100 µm見方、W = 1 µm 時，C ≈ 11.7 × 8.85×10⁻¹² × 10⁻⁸ ÷ 10⁻⁶ ≈ 1 pF。在高速電路中，這個電容會造成延遲，因此會縮小接面面積或降低濃度來減小它。
- A. 正確。與平行板電容器形式相同的式子。
- B. 寬度W越寬電容越小，因此W應位於分母。
- C. 面積A越大電容越大，因此A應位於分子。