關於在p層與n層之間夾入雜質較少的i層的PIN二極體，下列何者的特徵正確？

正確答案：C. i層成為寬的空乏區，因此適合高耐壓化，以及光偵測器的高速、高靈敏度化

在PIN二極體中，雜質較少的整個i層都作為空乏區。寬的空乏區能承受高電壓，所以適用於高耐壓的整流二極體；而且光吸收區域寬、接面電容又小，所以適用於高速、高靈敏度的光偵測器。順向時藉由導電度調變使i層電阻下降，逆向時則成為高電阻，因此也被用於高頻訊號的開關與可變衰減器。它沒有放大電流的作用。