關於MOSFET在關閉狀態下流過的漏電流的主要成分組合，下列何者正確？

正確答案：A. 次臨界漏電、閘極漏電、接面漏電

處於關閉狀態的MOSFET中，仍會有在臨界值以下流動的次臨界漏電、穿過閘極絕緣膜的閘極漏電、流過源極與汲極接面的接面漏電（包含GIDL）。即使每個電晶體在nA以下，聚集數十億個後，待機時也會達到數W的規模。對策上會組合High-k膜、多Vth、關閉不使用區塊電源的電源閘控、基板偏壓的控制等。