반도체 물리

불순물이 적은 실리콘의 실온에서 전자 이동도에 가장 가까운 값은?

  1. A약 14 cm²/(V·s)
  2. B약 140,000 cm²/(V·s)
  3. C약 1,400 cm²/(V·s)
정답과 해설 보기

정답: C. 약 1,400 cm²/(V·s)

저도핑 실리콘의 실온에서의 이동도는 전자가 약 1,400 cm²/(V·s), 정공이 약 450 cm²/(V·s)입니다. 다만 MOSFET의 채널에서는 표면의 요철이나 계면 전하에 의한 산란으로 그 절반 정도 이하가 됩니다. GaAs의 전자는 약 8,500, InSb는 약 77,000 cm²/(V·s)로, 화합물 반도체에는 크게 빠른 재료가 있어 고주파 용도에 사용됩니다. 도핑량이 늘어나면 어떤 재료에서도 이동도는 내려갑니다.

  • A. 약 14 cm²/(V·s)는 2자릿수 너무 작습니다.
  • B. 약 140,000 cm²/(V·s)는 2자릿수 너무 큽니다. 고이동도 화합물 반도체에서도 이 정도로 크지는 않습니다.
  • C. 올바릅니다. 전자는 약 1,400 cm²/(V·s)입니다.
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