반도체 물리

실리콘 내 인이 만드는 도너 준위의 밴드갭 내 위치로 올바른 것은?

  1. A전도대 하단 바로 근처(약 0.045 eV 아래)
  2. B가전자대 상단 바로 근처
  3. C밴드갭의 거의 중앙
정답과 해설 보기

정답: A. 전도대 하단 바로 근처(약 0.045 eV 아래)

인의 도너 준위는 전도대 하단에서 약 0.045 eV로 매우 얕아서, 실온의 열에너지(약 0.026 eV)로도 거의 전부가 이온화되어 전자를 공급합니다. 비소는 약 0.054 eV, 붕소의 억셉터 준위는 가전자대에서 약 0.045 eV입니다. 얕은 준위는 모체의 유전율로 구속이 약해지므로 수소 원자 모델로 추정할 수 있습니다. 갭 중앙 부근의 깊은 준위는 금 등의 불순물에 의한 것으로 재결합 중심이 됩니다.

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