반도체 물리

실온에서 실리콘(Si)의 밴드갭에 가장 가까운 값은?

  1. A약 0.66 eV
  2. B약 1.12 eV
  3. C약 3.4 eV
정답과 해설 보기

정답: B. 약 1.12 eV

실리콘의 밴드갭은 실온에서 약 1.12 eV이며, 흡수할 수 있는 빛의 파장 상한은 약 1.1 µm(1240÷1.12)입니다. 약 0.66 eV는 게르마늄으로, 밴드갭이 작은 만큼 고온에서 누설 전류가 늘어나기 쉽습니다. 약 3.4 eV는 GaN으로, 고내압·고온 동작과 청색 LED에 적합한 와이드 밴드갭 반도체입니다. 실리콘은 그 중간이며, 양질의 열산화막(SiO2)을 만들 수 있다는 점과 맞물려 LSI의 주역이 되었습니다.

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