MOSFET

p형 기판의 MOS 커패시터를 고주파로 측정한 C-V 특성에서, 게이트에 큰 양의 전압을 가해 강반전시켰을 때의 커패시턴스는 어떻게 되는가?

  1. A거의 최솟값으로 일정해진다
  2. B무한대가 된다
  3. C게이트 절연막의 커패시턴스 Cox와 같은 최댓값이 된다
정답과 해설 보기

정답: A. 거의 최솟값으로 일정해진다

고주파(보통 1 MHz)에서는 반전층의 소수 캐리어 생성이 신호의 변화를 따라가지 못해, 반전층은 교류 커패시턴스에 기여할 수 없습니다. 그래서 커패시턴스는 Cox와 최대 공핍층 폭의 공핍층 커패시턴스의 직렬로 정해지는 거의 최솟값으로 일정해집니다. 저주파(준정적)에서는 반전층이 응답하여 커패시턴스가 Cox까지 되돌아옵니다. 최소 커패시턴스와 최대 커패시턴스의 비로부터 기판의 불순물 농도를 구할 수 있어 MOS 구조 평가에 사용됩니다.

  • A. 올바릅니다. 고주파에서는 반전층이 따라가지 못해 최솟값으로 일정해집니다.
  • B. 커패시턴스가 무한대가 되는 일은 없습니다.
  • C. Cox와 같아지는 것은 축적 상태이거나 저주파에서 반전시켰을 때입니다.
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