定義MOSFET臨界電壓時所使用的「強反轉」條件，一般為下列何者？（φF：費米電位）

正確答案：B. 表面電位成為 2φF（表面的少數載子密度等於基板的多數載子密度）

強反轉的開始，一般定義為表面電位成為 2φF 時，也就是表面的電子密度等於基板內部的電洞密度時。此時的閘極電壓即為臨界電壓，表示為 Vth = VFB + 2φF + √(2εqNA·2φF)/Cox。在實際量測中，是以成為固定電流的閘極電壓（定電流法），或外插ID-VG曲線直線部分的方法來決定Vth，因此依定義不同，數值會略有差異。

• A. 表面電位為負向時，p型基板的表面處於累積狀態。
• B. 正確。表面電位 2φF 是強反轉的基準。
• C. 表面電位為零是平帶的狀態。