MOSFET

같은 치수의 nMOS와 pMOS에서는 일반적으로 nMOS의 구동 전류가 더 크다. 그 주된 이유는 무엇인가?

  1. AnMOS의 게이트 산화막이 반드시 더 두껍기 때문에
  2. BpMOS에는 게이트 전극이 없기 때문에
  3. C채널을 흐르는 전자의 이동도가 정공의 이동도보다 크기 때문에
정답과 해설 보기

정답: C. 채널을 흐르는 전자의 이동도가 정공의 이동도보다 크기 때문에

nMOS에서는 전자, pMOS에서는 정공이 채널을 흐르며, 실리콘 반전층에서는 전자의 이동도가 정공의 약 2~3배이므로 같은 치수라면 nMOS가 더 큰 전류를 흘릴 수 있습니다. CMOS에서는 pMOS의 게이트 폭을 넓혀 균형을 맞춥니다. 첨단 공정에서는 SiGe의 압축 변형으로 pMOS의 이동도를 높이고, FinFET에서는 정공이 흐르기 쉬운 (110)면이 핀의 측벽이 되기도 해서 차이가 상당히 줄었습니다.

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