MOSFET

長通道MOSFET在飽和區工作時，汲極電流ID大致與什麼成正比？（VGS：閘極-源極間電壓，Vth：臨界電壓）

  1. A(VGS − Vth)的平方
  2. BVGS − Vth
  3. CVGS的倒數
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正確答案：A. (VGS − Vth)的平方

在長通道MOSFET的飽和區，ID = (1/2)μCox(W/L)(VGS − Vth)²，汲極電流與(VGS − Vth)的平方成正比（平方律）。VGS − Vth稱為過驅動電壓，是類比設計的基本參數。在短通道中，因速度飽和而趨近於一次方，再加上遷移率劣化與寄生電阻的影響而產生偏差，因此實際設計時會使用BSIM等精密模型。

MOSFET汲極電流與汲極電壓的關係 汲極—源極間電壓 VDS 汲極電流 ID ,,1 ,,4 ,,9 VGS − Vth = 3 V = 2 V = 1 V 線性區 飽和區 飽和電流 ∝ (VGS − Vth)²
MOSFET汲極電流與汲極電壓的關係 · 在圖解集中查看
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