室溫下MOSFET的次臨界擺幅（在臨界值以下使汲極電流改變一個數量級所需的閘極電壓）的理論下限值，最接近下列何者？

正確答案：C. 約60 mV/dec

即使在臨界值以下，汲極電流仍會隨閘極電壓呈指數函數流動。使電流改變一個數量級所需的閘極電壓（次臨界擺幅S）為 S = (kT/q)·ln10·(1 + Cd/Cox)，即使在理想情況（Cd = 0）下，室溫約為60 mV/dec。降低Vth時，關閉電流每增加一個數量級就只剩約60 mV的餘裕，成為阻礙電源電壓下降的一道障礙。穿隧FET等突破此極限的元件正在研究中。