MOSFET 在n通道MOSFET中，若相對於源極對基板（體）施加負電壓（施加基板偏壓），臨界電壓會如何變化？ A上升 B下降 C不變 查看答案與解析 正確答案：A. 上升 在源極與基板之間施加逆向偏壓時，閘極下方的空乏層會擴大，空乏層電荷增加，為了抵消它就需要更大的閘極電壓，因此臨界電壓上升（基板偏壓效應、體效應）。在串聯的電晶體中，上方電晶體的源極電位會升高，因此這個效應使Vth上升而變慢。反過來，也有利用這個特性，以基板電壓調整Vth來減少漏電的手法。