先進電晶體（FinFET與GAA）
下列關於電晶體性能指標「Ion/Ioff 比」的說明，何者正確？
- A導通狀態的電流與關閉狀態的漏電流之比，越大作為開關越優異
- B閘極長度與閘極寬度之比
- C電源電壓與臨界電壓之比
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正確答案：A. 導通狀態的電流與關閉狀態的漏電流之比，越大作為開關越優異
Ion/Ioff 比是導通時的電流與關閉時的漏電流之比，在先進邏輯中約為 10⁴～10⁶。比值越大，就是一個運作速度快、待機漏電又少的優良開關。降低電源電壓時，若不降低臨界電壓，Ion 就會減少，降低臨界電壓則 Ioff 會增加，因此難以兼顧。使次臨界擺幅變陡的 FinFET 與 GAA，在相同 Ioff 下能獲得較大的 Ion。
- A. 正確。是導通電流與關閉電流之比。
- B. 不是尺寸之比。
- C. 不是電壓之比。