첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)
미래의 nMOS 채널 재료로 InGaAs 등 III-V족 화합물 반도체가 연구되어 온 주된 이유는?
- A실리콘보다 저렴하게 제조할 수 있기 때문
- B전자의 이동도가 실리콘보다 훨씬 크기 때문
- C밴드갭이 실리콘보다 커서 누설이 적기 때문
정답과 해설 보기
정답: B. 전자의 이동도가 실리콘보다 훨씬 크기 때문
InGaAs 등 III-V족 화합물 반도체는 전자 이동도가 실리콘의 수 배 이상으로 커서 낮은 전압에서도 큰 전류를 흘릴 수 있을 것으로 기대되어 왔습니다. 그러나 실리콘 기판 위 결정 성장에서의 결함, 양호한 게이트 절연막 계면을 만드는 어려움, 상태 밀도가 작아 실제 전하가 늘어나기 어려운 점, 정공 이동도가 낮은 점, 비용 등의 과제가 있어 로직 양산에는 이르지 못했습니다.
- A. 화합물 반도체는 실리콘보다 제조 비용이 높아지기 쉽습니다.
- B. 맞습니다. 전자의 이동도가 매우 큰 것이 이유입니다.
- C. InGaAs의 밴드갭은 실리콘보다 작아 누설이 늘어나기 쉬운 방향입니다.