預先以絕緣膜覆蓋閘極，使接觸位置即使稍有偏移也不會與閘極短路的技術是哪一個？

正確答案：C. 自對準接觸（SAC）

若預先以氮化膜等覆蓋閘極的上表面與側面，即使接觸蝕刻偏向閘極的位置，由於氮化膜比氧化膜更不易被蝕刻，會停在絕緣膜上而不會到達閘極。藉由這種自對準接觸，不再需要預留對準誤差的餘裕，可縮小閘極與接觸的間隔。此外，也衍生出將接觸放在閘極正上方的 COAG 等縮小單元面積的技術。