先進電晶體（FinFET與GAA）
在同一晶片中分別使用多種臨界電壓不同的電晶體，其目的為何？
- A為了裝飾晶片
- B在需要速度的部分使用低臨界電壓、想抑制漏電的部分使用高臨界電壓的電晶體，以兼顧性能與功耗
- C為了讓臨界電壓無法被量測
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正確答案：B. 在需要速度的部分使用低臨界電壓、想抑制漏電的部分使用高臨界電壓的電晶體，以兼顧性能與功耗
臨界電壓低的電晶體速度快，但漏電大，臨界電壓每降低 0.1 V，漏電就增加一個數量級以上。因此在同一晶片中準備 LVT、SVT、HVT 等多種臨界電壓的電晶體，僅在時序沒有餘裕的路徑使用低臨界電壓，其餘則使用高臨界電壓。設計工具會根據時序分析的結果自動替換，在維持性能的同時大幅抑制待機功耗。