첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

금속과 반도체의 컨택트 저항을 낮추기 위한 기본적인 방법으로 올바른 것은?

  1. A접촉하는 반도체의 불순물 농도를 높여 장벽을 얇게 하고 터널 전류가 흐르기 쉽게 한다
  2. B접촉하는 반도체의 불순물 농도를 극히 낮게 한다
  3. C금속과 반도체 사이에 두꺼운 산화막을 넣는다
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정답: A. 접촉하는 반도체의 불순물 농도를 높여 장벽을 얇게 하고 터널 전류가 흐르기 쉽게 한다

금속과 반도체의 계면에는 쇼트키 장벽이 생깁니다. 반도체 쪽 불순물 농도를 10²⁰ cm⁻³ 이상으로 높이면 장벽의 폭이 수 nm 이하로 얇아져 캐리어가 터널 효과로 통과하기 쉬워지므로 컨택트 저항이 내려갑니다. 아울러 티타늄 등의 실리사이드로 계면을 만들거나, 장벽이 낮은 재료를 선택하거나, 접촉 면적을 넓히는 방법도 사용되며, 첨단 세대에서는 10⁻⁹ Ω·cm²급의 낮은 접촉 저항률이 요구됩니다.

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