첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

FinFET의 가는 핀을 만드는 데 사용되는, 측벽 스페이서를 이용해 리소그래피 한계보다 미세한 패턴을 만드는 기술은?

  1. ASADP/SAQP(자기 정렬 더블/쿼드러플 패터닝)
  2. BOPC
  3. CCMP
정답과 해설 보기

정답: A. SADP/SAQP(자기 정렬 더블/쿼드러플 패터닝)

SADP에서는 심이 되는 패턴의 측벽에 ALD 등으로 균일한 막을 입혀 스페이서를 형성하고 심을 제거함으로써 원래의 2배 밀도의 선을 만듭니다. SAQP는 이를 2회 반복하여 4배로 만듭니다. 선의 폭이 노광이 아니라 막 두께로 정해지므로 편차가 작고, ArF 액침 노광의 한계(피치 약 80 nm)보다 미세한 핀이나 배선을 형성할 수 있습니다. EUV 노광에서도 가장 미세한 피치에서는 조합하여 사용됩니다.

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