先進電晶體（FinFET與GAA）
在 High-k/金屬閘極電晶體中，調整臨界電壓的主要手段之一為何？
- A選擇用於閘極電極之金屬材料的功函數
- B改變晶圓的直徑
- C改變封裝的材料
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正確答案：A. 選擇用於閘極電極之金屬材料的功函數
在金屬閘極中，閘極電極金屬的功函數會改變平帶電壓，進而決定臨界電壓。nMOS 適合接近導帶的功函數（約 4.1 eV，如 TiAl 等），pMOS 適合接近價帶的功函數（約 5.1 eV，如 TiN 等）。藉由改變數 nm 級薄金屬層的組合與厚度，可分別製作高速用、低漏電用等多種臨界電壓。